SSM3J331R,LF
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
SSM3J331R,LF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 630pF @10VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
SSM3J331R,LF引脚图与封装图 
SSM3J331R,LF引脚图
SSM3J331R,LF封装图
SSM3J331R,LF封装焊盘图
在线购买SSM3J331R,LF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SSM3J331R,LF | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3Pin SOT-23F | 搜索库存 |
替代型号SSM3J331R,LF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SSM3J331R,LF 品牌： Toshiba 东芝 封装： SOT-23F | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3Pin SOT-23F | 当前型号 |
| 型号： SSM3J331R,LFT 品牌： 东芝 封装： SOT-23-3 | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3Pin SOT-23F | SSM3J331R,LF和SSM3J331R,LFT的区别 |