SSM6J215FETE85L,F

Toshiba 东芝分立器件

Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6Pin ES T/R

P-Channel 20V 3.4A Ta 500mW Ta Surface Mount ES6

得捷:
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6

贸泽:
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.4A 6-Pin ES T/R

安富利:
PB-F SOT-23F PCH MOSFET LF TRANSISTOR PD: 1W VDS=-20V

Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.4A 6-Pin ES T/R

Win Source:
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6

SSM6J215FETE85L,F中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 630pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 ES-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 ES-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

SSM6J215FETE85L,F引脚图与封装图

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