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S1MHE3_A/I

S1MHE3_A/I

数据手册.pdf

整流器 1A 1000V 40A@8.3ms Single Die Auto

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

  For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters and freewheeling diodes for consumer, automotive, and telecommunication.

S1MHE3_A/I中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1V @1A

反向恢复时间 1.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC-2

外形尺寸

封装 DO-214AC-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

S1MHE3_A/I引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
S1MHE3_A/I Vishay Semiconductor 威世 整流器 1A 1000V 40A@8.3ms Single Die Auto 搜索库存
替代型号S1MHE3_A/I
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: S1MHE3_A/I

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

整流器 1A 1000V 40A@8.3ms Single Die Auto

当前型号

型号: S1MHE3/5AT

品牌: 威世

封装: SMA

功能相似

DIODE GEN PURP 1kV 1A DO214AC

S1MHE3_A/I和S1MHE3/5AT的区别