SI2301-TP中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 110 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 2.8A
输入电容Ciss 880pF @6VVds
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI2301-TP引脚图与封装图 
SI2301-TP引脚图
SI2301-TP封装图
SI2301-TP封装焊盘图
在线购买SI2301-TP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2301-TP | Micro Commercial Components 美微科 | P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V | 搜索库存 |
替代型号SI2301-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI2301-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： SOT-23-3 P-CH 20V 2.8A | 当前型号 | P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V | 当前型号 |
| 型号： SI2351DS-T1-GE3 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | -20V,-3A,P沟道MOSFET | SI2301-TP和SI2351DS-T1-GE3的区别 |