SS8550CBU
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SS8550CBU中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -1.50 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 1 W
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
SS8550CBU引脚图与封装图
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在线购买SS8550CBU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SS8550CBU | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SS8550CBU 单晶体管 双极, PNP, -25 V, 200 MHz, 1 W, -1.5 A, 120 hFE | 搜索库存 |
替代型号SS8550CBU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SS8550CBU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -25V -1.5A 1000mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SS8550CBU 单晶体管 双极, PNP, -25 V, 200 MHz, 1 W, -1.5 A, 120 hFE | 当前型号 |