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SD2902

射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**

**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**

**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**

VHF / UHF radio applications

**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**

**UHF TV and digital cellular BTS applications**

**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**

HF / SSB, FM / VHF broadband applications

**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**

SD2902中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电压DC 65.0 V

额定电流 2.50 A

极性 N-Channel

耗散功率 58.3 W

输入电容 23.0 pF

漏源极电压Vds 65.0 V

漏源击穿电压 65.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

输出功率 15 W

增益 13.5 dB

测试电流 25 mA

输入电容Ciss 23pF @28VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 58300 mW

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 M-113

外形尺寸

长度 24.89 mm

宽度 6.48 mm

高度 7.11 mm

封装 M-113

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SD2902引脚图与封装图
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在线购买SD2902
型号 制造商 描述 购买
SD2902 ST Microelectronics 意法半导体 射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs 搜索库存
替代型号SD2902
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SD2902

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: M113 N-Channel 65V 2.5A 58300mW

当前型号

射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

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