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SD2933

射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**

**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**

**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**

VHF / UHF radio applications

**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**

**UHF TV and digital cellular BTS applications**

**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**

HF / SSB, FM / VHF broadband applications

**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**

SD2933中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

额定电压DC 125 V

额定电流 40 A

极性 N-Channel

耗散功率 648 W

输入电容 1.00 nF

漏源极电压Vds 125 V

漏源击穿电压 125 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

输出功率 300 W

增益 23.5 dB

测试电流 250 mA

输入电容Ciss 1000pF @50VVds

输出功率Max 400 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 648000 mW

额定电压 125 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 5

封装 M-177

外形尺寸

长度 28.96 mm

宽度 16.13 mm

高度 7.11 mm

封装 M-177

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SD2933引脚图与封装图
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在线购买SD2933
型号 制造商 描述 购买
SD2933 ST Microelectronics 意法半导体 射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs 搜索库存
替代型号SD2933
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SD2933

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: Case N-Channel 125V 40A 1nF

当前型号

射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

当前型号

型号: SD2933W

品牌: 意法半导体

封装: Case 648000mW

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