SSM6N7002BFE,LM

Toshiba(东芝) 分立器件

ES N-CH 60V 0.2A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6

得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin ES Embossed T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R

Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

SSM6N7002BFE,LM中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.15 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.2A

输入电容Ciss 17pF @25VVds

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 ES-6

外形尺寸

封装 ES-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SSM6N7002BFE,LM引脚图与封装图

SSM6N7002BFE,LM引脚图

SSM6N7002BFE,LM封装图

SSM6N7002BFE,LM封装焊盘图

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