SD2931-12MR中文资料参数规格
技术参数
频率 175 MHz
耗散功率 389000 mW
输出功率 150 W
增益 15 dB
测试电流 250 mA
输入电容Ciss 480pF @50VVds
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 389000 mW
额定电压 125 V
封装参数
引脚数 5
封装 M-174MR
外形尺寸
封装 M-174MR
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SD2931-12MR引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SD2931-12MR | ST Microelectronics 意法半导体 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIST | 搜索库存 |