STAC2932F

ST Microelectronics(意法半导体) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch

RF Mosfet N-Channel 50V 250mA 175MHz 20dB 390W STAC244F

得捷:
TRANS RF PWR N-CH STAC244F

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 125V 40A 4-Pin Tray

STAC2932F中文资料参数规格

技术参数

频率 175 MHz

漏源极电压Vds 125 V

输出功率 390 W

增益 20 dB

测试电流 250 mA

额定电压 125 V

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STAC2932F引脚图与封装图

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