STAC2932BW中文资料参数规格
技术参数
频率 175 MHz
额定电流 40 A
耗散功率 625 W
漏源极电压Vds 125 V
漏源击穿电压 125 V
输出功率 390 W
测试电流 250 mA
输入电容Ciss 468pF @50VVds
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 625000 mW
额定电压 125 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 STAC244B
外形尺寸
封装 STAC244B
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STAC2932BW引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STAC2932BW | ST Microelectronics 意法半导体 | HF / VHF / UHF射频功率N沟道MOSFET HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFETs | 搜索库存 |