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STAC150V2-350E

STAC150V2-350E

数据手册.pdf

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V

RF Mosfet N 通道 40.68MHz 16.5dB 500W STAC177B


得捷:
MOSF RF N CH 700V STAC177B


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 700V 5-Pin STAC177B Tray


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 5-Pin STAC177B Plastic Tray


STAC150V2-350E中文资料参数规格
技术参数

频率 40.68 MHz

输出功率 500 W

增益 17 dB

输入电容Ciss 1300pF @150VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 700 V

封装参数

引脚数 5

封装 STAC177B

外形尺寸

封装 STAC177B

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STAC150V2-350E引脚图与封装图
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STAC150V2-350E ST Microelectronics 意法半导体 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V 搜索库存