
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -1.50 A
额定功率 1 W
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 160
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99

SS8550DTA引脚图

SS8550DTA封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SS8550DTA | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SS8550DTA 单晶体管 双极, PNP, -25 V, 200 MHz, 1 W, -1.5 A, 160 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SS8550DTA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -25V -1.5A 1000mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SS8550DTA 单晶体管 双极, PNP, -25 V, 200 MHz, 1 W, -1.5 A, 160 hFE | 当前型号 | |
型号: SS8550DBU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -25V -1.5A 1000mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SS8550DBU 单晶体管 双极, PNP, -25 V, 200 MHz, 1 W, -1.5 A, 160 hFE | SS8550DTA和SS8550DBU的区别 |