SI5341D-A-GM
数据手册.pdfSilicon Labs(芯科)
主动器件
SI5341D-A-GM中文资料参数规格
技术参数
电路数 1
耗散功率 945 mW
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 945 mW
电源电压 1.71V ~ 3.47V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 64
封装 QFN-64
外形尺寸
高度 0.83 mm
封装 QFN-64
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5341D-A-GM引脚图与封装图
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在线购买SI5341D-A-GM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5341D-A-GM | Silicon Labs 芯科 | 时钟发生器及支持产品 Base/blank prototyping device: Clock Generator: 10-outputs up to 350 MHz; Integer only synthesis | 搜索库存 |
替代型号SI5341D-A-GM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI5341D-A-GM 品牌： Silicon Labs 芯科 封装： 64-VFQFN | 当前型号 | 时钟发生器及支持产品 Base/blank prototyping device: Clock Generator: 10-outputs up to 350 MHz; Integer only synthesis | 当前型号 |
| 型号： SI5341D-B-GM 品牌： 芯科 封装： 64-VFQFN | 类似代替 | 时钟发生器及支持产品 Ultra low-jitter, 10-output, any-frequency < 350 MHz, any output clock generator | SI5341D-A-GM和SI5341D-B-GM的区别 |