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SMBT3904SH6327XTSA1

SMBT3904SH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-363 NPN 40V 0.2A

Summary of Features:

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High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA
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 Low collector-emitter saturation voltage
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For SMBT3904S:
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Two galvanic internal isolated transistors with good matching in one package
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 Complementary types: SMBT3906... MMBT3906
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 SMBT3904S: For orientation in reel see package information below
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 Pb-free RoHS compliant package
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 Qualified according AEC Q101
SMBT3904SH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.33 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMBT3904SH6327XTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMBT3904SH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 SOT-363 NPN 40V 0.2A 搜索库存
替代型号SMBT3904SH6327XTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBT3904SH6327XTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: 6-VSSOP NPN 330mW

当前型号

SOT-363 NPN 40V 0.2A

当前型号

型号: MMDT3904-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-363 NPN 40V 200mA 200mW

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