STGB10NB60ST4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 10.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 80000 mW
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 460 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGB10NB60ST4引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGB10NB60ST4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道10A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT | 搜索库存 |