STGB7NB40LZT4中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 70.0 W
击穿电压集电极-发射极 430 V
额定功率Max 100 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STGB7NB40LZT4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STGB7NB40LZT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGB7NB40LZT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | IGBT 430V 14A 100W D2PAK | 搜索库存 |