STGB12NB60KDT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 18.0 A
耗散功率 125000 mW
上升时间 14.5 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 80 ns
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
STGB12NB60KDT4引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGB12NB60KDT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道18A - 600V TO- 220 / D2PAK短路保护的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT | 搜索库存 |