STGP3NB60K中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 6.00 A
耗散功率 50.0 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 50 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STGP3NB60K引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGP3NB60K | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道3A - 600V - TO- 220 / DPAK / D2PAK PowerMES TM IGBT N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMES TM IGBT | 搜索库存 |