STGD3NB60FT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 3.00 A
耗散功率 60 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 45 ns
额定功率Max 60 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
STGD3NB60FT4引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGD3NB60FT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道3A - 600V TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / D2PAK的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 3A - 600V TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH IGBT | 搜索库存 |