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STGP10NB60SD

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N沟道10A - 600V - TO- 220低压降的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESH TM IGBT

Description

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix "S" identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency application <1kHz.

General features

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ HIGH INPUT IMPEDANCE VOLTAGE DRIVEN

Applications

■ LIGHT DIMMER

■ STATIC RELAYS

■ MOTOR CONTROL

STGP10NB60SD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 80000 mW

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 460 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 37 ns

额定功率Max 80 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGP10NB60SD引脚图与封装图
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STGP10NB60SD ST Microelectronics 意法半导体 N沟道10A - 600V - TO- 220低压降的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESH TM IGBT 搜索库存