锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STGP20H60DF

STGP20H60DF

数据手册.pdf

600V,20A高速沟槽栅场终止IGBT

Use the IGBT transistor from STMicroelectronics as an electronic switch. Its maximum power dissipation is 100000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.

STGP20H60DF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 167 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 90 ns

额定功率Max 167 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGP20H60DF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STGP20H60DF
型号 制造商 描述 购买
STGP20H60DF ST Microelectronics 意法半导体 600V,20A高速沟槽栅场终止IGBT 搜索库存