STGB3NC120HDT4中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
耗散功率 75 W
输入电容 470 pF
击穿电压集电极-发射极 1200 V
热阻 62.5 ℃/W
反向恢复时间 51 ns
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGB3NC120HDT4引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STGB3NC120HDT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | STGB3NC120HD 系列 1200 V 7 A 极快速 IGBT 带超快恢复二极管 - D2PAK | 搜索库存 |