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STGB6NC60HT4

STGB6NC60HT4

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N沟道600V - 7A - D2PAK非常快的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 7A - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT

Use the IGBT transistor from STMicroelectronics as an electronic switch. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 56000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.

STGB6NC60HT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 15.0 A

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 56 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 56000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STGB6NC60HT4引脚图与封装图
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STGB6NC60HT4 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道600V - 7A - D2PAK非常快的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 7A - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT 搜索库存