STGB6NC60HT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 15.0 A
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 56 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 56000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STGB6NC60HT4引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STGB6NC60HT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600V - 7A - D2PAK非常快的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 7A - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT | 搜索库存 |