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STGB19NC60HDT4

STGB19NC60HDT4

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STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK

You won"t need to worry about any lagging in your circuit with this IGBT transistor from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 130000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

STGB19NC60HDT4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 130000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 31 ns

额定功率Max 130 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 130000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGB19NC60HDT4引脚图与封装图
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在线购买STGB19NC60HDT4
型号 制造商 描述 购买
STGB19NC60HDT4 ST Microelectronics 意法半导体 STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK 搜索库存
替代型号STGB19NC60HDT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STGB19NC60HDT4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-263-3 130000mW

当前型号

STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK

当前型号

型号： IRG4BC40W-SPBF

品牌： 国际整流器

封装： TO-263-3 600V 40A 160W

功能相似

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube

STGB19NC60HDT4和IRG4BC40W-SPBF的区别

型号： IRG4BC30KD-SPBF

品牌： 国际整流器

封装： TO-263-3 600V 28A 100W

功能相似

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube

STGB19NC60HDT4和IRG4BC30KD-SPBF的区别