
STGD10HF60KD中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 62500 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 50 ns
额定功率Max 62.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGD10HF60KD引脚图与封装图
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在线购买STGD10HF60KD
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STGD10HF60KD | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号STGD10HF60KD
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: STGD10HF60KD 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: TO-252-3 62500mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
型号: STGD25N40LZAG 品牌: 意法半导体 封装: | 类似代替 | 单晶体管, IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 400 V, TO-252, 3 引脚 | STGD10HF60KD和STGD25N40LZAG的区别 |