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STGD10HF60KD

STGD10HF60KD

数据手册.pdf

Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R

Use the IGBT transistor from STMicroelectronics as an electronic switch. Its maximum power dissipation is 62500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

STGD10HF60KD中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 62500 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 62.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGD10HF60KD引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STGD10HF60KD ST Microelectronics 意法半导体 Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R 搜索库存
替代型号STGD10HF60KD
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STGD10HF60KD

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252-3 62500mW

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R

当前型号

型号: STGD25N40LZAG

品牌: 意法半导体

封装:

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