STGW60V60DF

600V,60A高速截止型IGBT

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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STGW60V60DF

得捷:
IGBT 600V 80A 375W TO247

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艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin TO-247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

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儒卓力:
**IGBT 600V 60A 1,85V TO247-3 **

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600V,60A,沟槽栅场截止型IGBT带超快二极管