STGFW40V60DF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 62.5 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 41 ns
额定功率Max 62.5 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGFW40V60DF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STGFW40V60DF
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
STGFW40V60DF | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3Pin3+Tab TO-3pF Tube | 搜索库存 |