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STGFW40V60DF

STGFW40V60DF

数据手册.pdf

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3Pin3+Tab TO-3pF Tube

IGBT 沟槽型场截止 600 V 80 A 62.5 W 通孔 TO-3PF-3


得捷:
IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF


贸泽:
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin TO-3PF Tube


富昌:
TO-3PF/ISOWATT 218


STGFW40V60DF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 62.5 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 41 ns

额定功率Max 62.5 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGFW40V60DF引脚图与封装图
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STGFW40V60DF ST Microelectronics 意法半导体 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3Pin3+Tab TO-3pF Tube 搜索库存