STGP100N30中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250000 mW
击穿电压集电极-发射极 330 V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STGP100N30引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| STGP100N30 | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 250000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube | 搜索库存 |