STGW50H60DF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 55 ns
额定功率Max 360 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGW50H60DF引脚图与封装图
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在线购买STGW50H60DF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGW50H60DF | ST Microelectronics 意法半导体 | 600V,50A截止型IGBT | 搜索库存 |
替代型号STGW50H60DF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STGW50H60DF 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-247-3 360000mW | 当前型号 | 600V,50A截止型IGBT | 当前型号 |
| 型号： IKW50N60H3 品牌： 英飞凌 封装： TO-247-3 333000mW | 功能相似 | INFINEON IKW50N60H3 单晶体管, IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 引脚 | STGW50H60DF和IKW50N60H3的区别 |