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STGWA60H65DFB

STGWA60H65DFB

数据手册.pdf

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-247 长引线


得捷:
IGBT BIPO 650V 60A TO247-3


立创商城:
沟槽栅式场截止 375W 650V 80A


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IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


儒卓力:
**IGBT 650V 60A 1,85V TO247 long **


STGWA60H65DFB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 375 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 375 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 20.15 mm

宽度 15.75 mm

高度 5.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGWA60H65DFB引脚图与封装图
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STGWA60H65DFB ST Microelectronics 意法半导体 IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed 搜索库存