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STGP35HF60W

STGP35HF60W

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STGP35HF60W 系列 600 V 60 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-220

This fast-switching IGBT transistor from STMicroelectronics will be perfect in your circuit. Its maximum power dissipation is 200000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

STGP35HF60W中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGP35HF60W引脚图与封装图
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在线购买STGP35HF60W
型号 制造商 描述 购买
STGP35HF60W ST Microelectronics 意法半导体 STGP35HF60W 系列 600 V 60 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-220 搜索库存
替代型号STGP35HF60W
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STGP35HF60W

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220-3 200000mW

当前型号

STGP35HF60W 系列 600 V 60 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-220

当前型号

型号: STGP30NC60S

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3 175000mW

类似代替

Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 175000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube

STGP35HF60W和STGP30NC60S的区别