频率 270 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.45 W
集电极击穿电压 50.0 V
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 400 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 1000
额定功率Max 450 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SS9014DTA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 45V 100mA 0.45W | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo | 当前型号 | |
型号: BC337-25RL1G 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 45V 800mA 625mW | 功能相似 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SILICON | SS9014DTA和BC337-25RL1G的区别 | |
型号: BC337-25ZL1G 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 45V 800mA 625mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC337-25ZL1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 160 hFE | SS9014DTA和BC337-25ZL1G的区别 | |
型号: BC547BRL1G 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 45V 100mA 625mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC547BRL1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 300 MHz, 1.5 W, 100 mA, 200 hFE | SS9014DTA和BC547BRL1G的区别 |