SSM6J212FE,LF
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
SSM6J212FE,LF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.7 W
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 970pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 ES-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.55 mm
封装 ES-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
SSM6J212FE,LF引脚图与封装图
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在线购买SSM6J212FE,LF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SSM6J212FE,LF | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6Pin SOT-563 Embossed T/R | 搜索库存 |