锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
SPW24N60C3

SPW24N60C3

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPW24N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24.3 A, 650 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 650V 24.3A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin3+Tab TO-247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


力源芯城:
600V,24.3A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247


SPW24N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 24.3 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 240 W

阈值电压 3 V

输入电容 3.00 nF

栅电荷 135 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 24.3 A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

额定功率Max 240 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 240W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.03 mm

宽度 5.16 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

SPW24N60C3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SPW24N60C3
型号 制造商 描述 购买
SPW24N60C3 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPW24N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24.3 A, 650 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPW24N60C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPW24N60C3

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-247 N-Channel 650V 24.3A 3nF

当前型号

INFINEON  SPW24N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24.3 A, 650 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： SPW24N60CFD

品牌： 英飞凌

封装： TO-247-3 N-Channel 600V 21.7A

类似代替

的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor

SPW24N60C3和SPW24N60CFD的区别

型号： SIHG24N65E-GE3

品牌： 威世

封装： TO-247AC N-Channel

功能相似

VISHAY  SIHG24N65E-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 24A, TO-247AC-3

SPW24N60C3和SIHG24N65E-GE3的区别