SI4431DY-T1
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SI4431DY-T1中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 2.50 W
漏源极电压Vds -30.0 V
漏源击穿电压 -30.0 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
SI4431DY-T1引脚图与封装图
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