SST26VF016BT-104I/MF

型号： SST26VF016BT-104I/MF

品牌： Microchip 微芯

封装： 8-WDFN

当前型号

Serial 2.5V/3V 16Mbit 16M x 1Bit 8ns/5ns 8Pin WDFN EP T/R

当前型号

型号： SST26VF016B-104I/SM

品牌： 微芯

封装： SOIJ

完全替代

SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ SQI™ SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place XIP 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 SPI 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。### 特点串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 SPI 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip

型号： SST26VF016B-104I/MF

品牌： 微芯

封装： 8-WDFN

完全替代

SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ SQI™ SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place XIP 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 SPI 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。### 特点串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 SPI 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip

型号： SST25VF016B-50-4I-S2AF

品牌： 微芯

封装： SOIC 2000000B 2.7V 8Pin

功能相似

MICROCHIP  SST25VF016B-50-4I-S2AF  闪存, 16 Mbit, 2M x 8位, 50 MHz, 串行, SPI, SOIC, 8 引脚