SST39LF040-55-4C-NHE-T
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
电子元器件分类
SST39LF040-55-4C-NHE-T中文资料参数规格
技术参数
存取时间 55 ns
电源电压 3V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 PLCC-32
外形尺寸
封装 PLCC-32
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SST39LF040-55-4C-NHE-T引脚图与封装图 
SST39LF040-55-4C-NHE-T引脚图
SST39LF040-55-4C-NHE-T封装图
SST39LF040-55-4C-NHE-T封装焊盘图
在线购买SST39LF040-55-4C-NHE-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SST39LF040-55-4C-NHE-T | Microchip 微芯 | Flash Parallel 3.3V 4M-bit 512K x 8 55ns 32Pin PLCC | 搜索库存 |
替代型号SST39LF040-55-4C-NHE-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SST39LF040-55-4C-NHE-T 品牌： Microchip 微芯 封装： PLCC-32 | 当前型号 | Flash Parallel 3.3V 4M-bit 512K x 8 55ns 32Pin PLCC | 当前型号 |
| 型号： SST39LF040-55-4C-NHE 品牌： 微芯 封装： 32-LCC | 完全替代 | SST39LF010/020/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39LF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点3.0-3.6V 读取和写入操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 5 mA，待机电流 1 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 - SST39LF010 2 秒，SST39SF020 4 秒，SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 CMOS 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip | SST39LF040-55-4C-NHE-T和SST39LF040-55-4C-NHE的区别 |