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SPD04N80C3

SPD04N80C3

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 800V 4A


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 4A DPAK-2 CoolMOS C3


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Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin TO-252 T/R


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Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


力源芯城:
800V,4A,N沟道功率MOSFET


SPD04N80C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 4.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 1.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 63 W

阈值电压 3 V

输入电容 570 pF

栅电荷 26.0 nC

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 570pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPD04N80C3引脚图与封装图
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SPD04N80C3 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存