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S29GL512S11TFI010

S29GL512S11TFI010

数据手册.pdf
Spansion 飞索半导体 主动器件

Spansion### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

并联 NOR 闪存存储器,Cypress Semiconductor

高性能

快速随机访问和高带宽

### 快闪存储器

闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。


欧时:
### Parallel NOR Flash Memory, Cypress SemiconductorHigh performance Fast random-access and high bandwidth ### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。


Newark:
# SPANSION  S29GL512S11TFI010  Flash Memory, NOR, 512 Mbit, 64M x 8bit, Parallel, TSOP, 56 Pins


S29GL512S11TFI010中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

存取时间 110 ns

内存容量 64000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 56

封装 TSOP-56

外形尺寸

长度 18.5 mm

宽度 14.1 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-56

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

S29GL512S11TFI010引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
S29GL512S11TFI010 Spansion 飞索半导体 Spansion ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。 搜索库存
替代型号S29GL512S11TFI010
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: S29GL512S11TFI010

品牌: Spansion 飞索半导体

封装: TSOP 64000000B 2.7V 56Pin

当前型号

Spansion### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

当前型号

型号: S29GL512S11TFI020

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP-56 64000000B 2.7V

完全替代

闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚

S29GL512S11TFI010和S29GL512S11TFI020的区别

型号: S29GL512S11TFIV10

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP-56 64000000B 2.7V

完全替代

闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚

S29GL512S11TFI010和S29GL512S11TFIV10的区别

型号: S29GL512S11TFIV20

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP 64000000B 2.7V

完全替代

芯片, 闪存, 或非, 512MB, TSOP-56

S29GL512S11TFI010和S29GL512S11TFIV20的区别