SST4119-E3
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SST4119-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
连续漏极电流Ids 200 µA
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
高度 1.02 mm
封装 TO-236
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SST4119-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SST4119-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SST4119-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SST4119-E3 晶体管, 场效应管, JFET, N-通道, 200UA, TO-236 | 搜索库存 |