SSTJ212-E3
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SSTJ212-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
连续漏极电流Ids 15.0 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
高度 1.02 mm
封装 TO-236
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SSTJ212-E3引脚图与封装图
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在线购买SSTJ212-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SSTJ212-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SSTJ212-E3 晶体管, 场效应管, JFET, N-通道, 15MA, TO-236AB | 搜索库存 |
替代型号SSTJ212-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SSTJ212-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23 N-Channel 350mW | 当前型号 | VISHAY SSTJ212-E3 晶体管, 场效应管, JFET, N-通道, 15MA, TO-236AB | 当前型号 |
| 型号： PMBFJ310 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 N-Channel 250mW | 功能相似 | NXP PMBFJ310 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFET | SSTJ212-E3和PMBFJ310的区别 |