STB55NF03LT4中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 10 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 27.5 A
上升时间 400 ns
输入电容Ciss 1265pF @25VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -60 ℃
耗散功率Max 80000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -60℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
STB55NF03LT4引脚图与封装图
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在线购买STB55NF03LT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB55NF03LT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STB55NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 27.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号STB55NF03LT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB55NF03LT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel 30V 27.5A 13mohms | 当前型号 | STMICROELECTRONICS STB55NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 27.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： STB55NF03L 品牌： 意法半导体 封装： | 功能相似 | N沟道30V - 0.01欧姆 - 55A D2PAK的STripFET ] POWER MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A D2PAK STripFET] POWER MOSFET | STB55NF03LT4和STB55NF03L的区别 |