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STD2N62K3

STMICROELECTRONICS  STD2N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 620 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK


立创商城:
N沟道 620V 2.2A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD2N62K3, 2.2 A, Vds=620 V, 3引脚


贸泽:
MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STD2N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 620 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STD2N62K3 power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 45000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with supermesh 3 technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-Channel 620 V 3.6 Ω Surface Mount SuperMesh III Power MosFet - TO-252-3


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


力源芯城:
620V,3Ω,2.2A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK


STD2N62K3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 620 V

漏源击穿电压 620 V

连续漏极电流Ids 2.2A

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 340pF @50VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD2N62K3引脚图与封装图
STD2N62K3引脚图

STD2N62K3引脚图

STD2N62K3封装图

STD2N62K3封装图

STD2N62K3封装焊盘图

STD2N62K3封装焊盘图

在线购买STD2N62K3
型号 制造商 描述 购买
STD2N62K3 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD2N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 620 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STD2N62K3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD2N62K3

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 620V 2.2A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD2N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 620 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号: STB2N62K3

品牌: 意法半导体

封装: TO-263-3 N-CH 620V 2.2A

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620V,2.2A,N沟道MOSFET

STD2N62K3和STB2N62K3的区别