STB25NM50N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 550 V
额定电流 22.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 3 V
输入电容 1.50 nF
栅电荷 54.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 2565pF @25VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
STB25NM50N引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STB25NM50N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB25NM50N | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STB25NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 500 V, 0.11 ohm, 30 V, 3 V | 搜索库存 |