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STD3NK80ZT4

STD3NK80ZT4

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STMICROELECTRONICS  STD3NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics


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MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK


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STD3NK80ZT4


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e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 2.5 A, 3.8 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK


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Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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# STMICROELECTRONICS  STD3NK80ZT4  Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 800V 3A 4Ohm TO252-3 **


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800V,2.5A,齐纳保护的功率MOSFET


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MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK


STD3NK80ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 2.50 A

额定功率 70 W

针脚数 3

漏源极电阻 3.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.25 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 485pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD3NK80ZT4引脚图与封装图
STD3NK80ZT4引脚图

STD3NK80ZT4引脚图

STD3NK80ZT4封装图

STD3NK80ZT4封装图

STD3NK80ZT4封装焊盘图

STD3NK80ZT4封装焊盘图

在线购买STD3NK80ZT4
型号 制造商 描述 购买
STD3NK80ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD3NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STD3NK80ZT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD3NK80ZT4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 800V 1.25A 4.5ohms

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD3NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号： STD3NK80Z-1

品牌： 意法半导体

封装： TO-251AA N-Channel 1.25A

完全替代

STMICROELECTRONICS  STD3NK80Z-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V

STD3NK80ZT4和STD3NK80Z-1的区别

型号： FQD2N80TM

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 800V 1.8mA 6.3ohms 425pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N80TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 4.9 ohm, 10 V, 5 V

STD3NK80ZT4和FQD2N80TM的区别

型号： FQD2N80TF

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 800V 1.8A 6.3ohms

功能相似

Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3Pin2+Tab DPAK T/R

STD3NK80ZT4和FQD2N80TF的区别