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STD4NS25T4

STD4NS25T4

数据手册.pdf

Trans MOSFET N-CH 250V 4A 3Pin2+Tab DPAK T/R

表面贴装型 N 通道 4A(Tc) 50W(Tc) DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 250V 4A DPAK


贸泽:
MOSFET N-Ch 250 Volt 4 Amp


艾睿:
This STD4NS25T4 power MOSFET from STMicroelectronics can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 50000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This device utilizes mesh overlay technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 250V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 250V 4A DPAK


STD4NS25T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 4.00 A

漏源极电阻 900 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 355pF @25VVds

下降时间 10.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD4NS25T4引脚图与封装图
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STD4NS25T4 ST Microelectronics 意法半导体 Trans MOSFET N-CH 250V 4A 3Pin2+Tab DPAK T/R 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD4NS25T4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 250V 4A 900mohms

当前型号

Trans MOSFET N-CH 250V 4A 3Pin2+Tab DPAK T/R

当前型号

型号: STD4NS25

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel

功能相似

N沟道250V - 0.9ohm - 4A DPAK / IPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET

STD4NS25T4和STD4NS25的区别