STF7NM50N中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 20W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
输入电容Ciss 400pF @50VVds
额定功率Max 20 W
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STF7NM50N引脚图与封装图
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在线购买STF7NM50N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STF7NM50N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STF7NM50N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STF7NM50N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 2.5A | 当前型号 | N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STF8NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 500V 5A | 类似代替 | N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STF7NM50N和STF8NM50N的区别 |