STF6NK70Z中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 700 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 930pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
STF6NK70Z引脚图与封装图
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在线购买STF6NK70Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STF6NK70Z | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STF6NK70Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 700 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V | 搜索库存 |
替代型号STF6NK70Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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