STP12PF06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -12.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 180 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 3.4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 850pF @25VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
STP12PF06引脚图与封装图 
STP12PF06引脚图
STP12PF06封装图
STP12PF06封装焊盘图
在线购买STP12PF06
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP12PF06 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STP12PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 10 A, -60 V, 0.18 ohm, 10 V, 3.4 V | 搜索库存 |
替代型号STP12PF06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STP12PF06 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 P-Channel 60V 12A 200mohms | 当前型号 | STMICROELECTRONICS STP12PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 10 A, -60 V, 0.18 ohm, 10 V, 3.4 V | 当前型号 |
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